收藏本站
Typical Electrical Characteristics
60
V GS = -10V -7.0
-6.0
-5.0
1.6
1.4
V GS = -3.5 V
-4.0
40
-4.5
1.2
-4.5
-4.0
1
-5.0
-5.5
20
-3.5
-3.0
0.8
0.6
-6.0
-7.0
-10
0
0
1
2
3
4
5
0.4
0
10
20
30
40
50
60
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.8
0.12
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage .
I D = -15A
T = 25°C
A
I D = -15A
1.6
1.4
1.2
1
V GS = -4.5V
0.1
0.08
0.06
0.04
125 °C
0.8
0.02
0.6
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
J
150
175
0
2
4
6
8
10
-V GS ,GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature .
Figure 4. On Resistance Variation with
Gate-To- Source Voltage.
60
25
V DS = -5V
T = -55°C
A
25°C
10
V GS = 0V
T J = 125°C
20
15
10
125°C
1
0.1
0.01
25°C
-55°C
5
0
1
2
3
4
5
0.0001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics .
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current and
Temperature.
NDP6030PL Rev.B1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NDP6060L MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
NDS0605 MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
NDS0610 MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
NDS331N MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3
NDS332P MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3
NDS351AN MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3
NDS355AN MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3
NDS355N MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3
相关代理商/技术参数
NDP6030PL_Q 功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP603AL 功能描述:MOSFET N-Channel FET LL Enhancement RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP6050 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP6050L 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6051 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6051L 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP605A 制造商:Texas Instruments 功能描述:
NDP605B 制造商:NSC 制造商全称:National Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor